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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS030N06B
onsemi
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

onsemi FDMS030N06B

Modèle de produit: FDMS030N06B
Fabricant / marque: AMI Semiconductor/onsemi
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Livret des spécifications:
1.FDMS030N06B.pdf ···

Conception / spécification PCN

Logo 17/Aug/2017.pdf

Informations environnementales

onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

Assemblage / origine PCN

Wafer Fab Change 28/Sep/2021.pdf

Feuilles de données

FDMS030N06B.pdf

FDMS030N06B Page PDF

Télécharger les détails PDF
Statut RoHs:
Mode de paiement: PayPal / Credit Card / T/T
Manière d'expédition: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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En stock: 4624 Pcs Stock

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  • Caractéristiques
  • Manuel d'achat
  • Informations sur l'expédition
  • Contrôle qualité et emballage
  • Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces onsemi FDMS030N06B avec des spécifications similaires à onsemi FDMS030N06B.
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    La technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)
    Séries PowerTrench®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V
    Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
    Package / Boîte 8-PowerTDFN
    Emballer Tape & Reel (TR)
    Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Type de montage Surface Mount
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7560 pF @ 30 V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
    type de FET N-Channel
    Fonction FET -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
    Tension drain-source (Vdss) 60 V
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22.1A (Ta), 100A (Tc)
    Numéro de produit de base FDMS030
    FDMS030N06B Détails PDF [English] FDMS030N06B PDF - EN.pdf
  • Politique de retour
    Les retours doivent être demandés dans les 60 jours suivant la date de facture et inclure :
    - Numéro de facture original
    - Photo des pièces
    - Brève explication ou rapport de test indiquant la raison du retour
    Les retours ne seront pas acceptés après 60 jours. Les articles retournés doivent être dans leur emballage d’origine et en état de revente. Les retours dus à des erreurs du client lors du devis ou de l’achat ne seront pas acceptés. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour avant l’expédition.
    Comment acheter
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  • Délai de livraison
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  • Contrôle qualité (CQ)

    Tous les produits sont soumis à une inspection d’entrée rigoureuse et à des procédures strictes de contrôle qualité.
    Nous garantissons l’authenticité des composants, la conformité des spécifications et des performances fiables grâce à des tests normalisés et à une amélioration continue des processus.
    Garantie de qualité

    Emballage

    Protection antistatique ESD.
    Tous les produits sont emballés dans des sacs antistatiques et expédiés avec une protection antistatique ESD. L’étiquette sur l’emballage externe ESD inclura les informations de notre société : référence du produit, marque et quantité.

    Nous inspectons toutes les marchandises avant expédition afin de garantir qu’elles sont en excellent état et vérifions que les composants sont neufs, d’origine et conformes aux spécifications de la fiche technique. Après avoir confirmé que tout est en ordre, nous emballons soigneusement les articles et les expédions par service de messagerie internationale.

FDMS030N06B Détails du produit

Référence fabricant

FDMS030N06B

Fabricant

Y-IC est un distributeur de qualité des produits de la marque onsemi, offrant à ses clients les meilleurs produits et services.

Description détaillée

Le FDMS030N06B est un MOSFET N-Channel PowerTrench d'onsemi. Il se distingue par une faible résistance à l'état passant et une grande capacité de gestion de courant, le rendant adapté à diverses applications de gestion de l'énergie.

Caractéristiques clés

MOSFET N-Channel PowerTrench\nTension Drain à Source (Vdss) de 60V\nCourant de Drain Continu (Id) de 22,1A à 25°C\nRésistance à l'état passant maximale (Rds(on)) de 3mΩ à 50A, 10V\nCharge de Gate maximale (Qg) de 75nC à 10V

Avantages clés

Performance exceptionnelle avec une faible résistance à l'état passant et une grande capacité de courant\nAdapté à un large éventail d'applications de gestion de l'énergie\nConception fiable et robuste

Emballage

Emballage Tape and Reel (TR)\nBoîtier PowerTDFN à 8 broches\nComposant monté en surface

Cycle de vie

Le FDMS030N06B est un produit actif.\nDes modèles équivalents ou alternatifs sont disponibles chez onsemi. Pour plus d'informations, contactez notre équipe commerciale via notre site web.

Domaines d'application clés

Gestion de l'énergie\nContrôle de moteurs\nAlimentations switchées (SMPS)\nÉlectronique industrielle et automobile

Fiche technique

La fiche technique la plus fiable du FDMS030N06B est disponible sur le site web de Y-IC. Il est recommandé aux clients de la télécharger pour obtenir les spécifications techniques détaillées.

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Révision des utilisateurs

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  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

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    2026/03/20

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