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| Modèle de produit: | FDMS039N08B |
|---|---|
| Fabricant / marque: | Fairchild (onsemi) |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
| Livret des spécifications: |
|
| Statut RoHs: | Lead free / RoHs compliant |
| Mode de paiement: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Manière d'expédition: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Partager: |
Ship From: Hong Kong
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1+ | $0.877 |
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| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Statut de la partie | Active |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 19.4A (Ta), 100A (Tc) |
| FDMS039N08B Détails PDF [English] | FDMS039N08B PDF - EN.pdf |




FDMS039N08B
Y-IC est un distributeur de produits de la marque onsemi reconnu pour la qualité et fournit à ses clients les meilleurs produits et services.
Le FDMS039N08B est un transistor MOSFET de puissance N-Channel appartenant à la série PowerTrench® d'onsemi. Il offre une tension de drain à source de 80V et un courant de drain continu de 19,4A à 25°C ou 100A à 100°C.
MOSFET N-Channel
Technologie PowerTrench®
Tension drain-source de 80V
Courant de drain continu de 19,4A à 25°C, 100A à 100°C
R On faible de 3,9mΩ à 50A, 10V
Vitesse de commutation rapide
Grande plage de température de fonctionnement de -55°C à 150°C
Haute capacité de gestion d'énergie
Conversion efficace de puissance
Performances fiables
Idéal pour une large gamme d'applications de puissance
Le FDMS039N08B est conditionné dans un boîtier en surface PowerTDFN 8-PowerTDFN (5x6). Il est disponible en format emballage rouleau avec bande (TR).
Le FDMS039N08B est un produit actif. Des modèles équivalents ou alternatifs incluent le FDMS039N10B et le FDMS039N12B. Pour toute assistance supplémentaire, veuillez contacter notre équipe commerciale via le site web de Y-IC.
Alimentations électriques
Commandes de moteurs
Éclairage et pilotes LED
Électronique industrielle et automobile
La fiche technique la plus récente du FDMS039N08B est disponible sur le site web de Y-IC. Nous encourageons nos clients à télécharger la fiche technique pour obtenir les spécifications techniques détaillées et les performances.
Nous recommandons aux clients de demander un devis pour le FDMS039N08B sur le site web de Y-IC. Obtenez un devis dès maintenant pour profiter de notre offre limitée.
MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
FXPREM II SD 64GB MLC DIAMOND GR
FXADV II SD 64GB 3D TLC GOLD GRA
WORM SD 64GB MLC COMMERCIAL GRAD
FXADV II SD 64GB 3D PSLC DIAMOND
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
WORM SD 64GB MLC DIAMOND GRADE
X-MASK SD 64GB MLC DIAMOND GRADE
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FDMS0364S FAIRCHI
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
ROM SD 64GB MLC DIAMOND GRADE
FDMS0354S FAIRCHILD
FXADV II SD 64GB 3D TLC DIAMOND
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FDMS039N08BFairchild |
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