Français

| Modèle de produit: | FDMA2002NZ |
|---|---|
| Fabricant / marque: | Fairchild (onsemi) |
| Partie de la description: | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Livret des spécifications: | None |
| Statut RoHs: | Lead free / RoHs compliant |
| Mode de paiement: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Manière d'expédition: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Partager: |
Ship From: Hong Kong
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1+ | $0.3863 |
Soumissions RFQ en ligne: Réponses rapides, meilleurs prix!
| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-MicroFET (2x2) |
| Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Puissance - Max | 650mW |
| Package / Boîte | 6-VDFN Exposed Pad |
| Emballer | Bulk |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.9A |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Numéro de produit de base | FDMA2002 |
| FDMA2002NZ Détails PDF [English] | FDMA2002NZ PDF - EN.pdf |




FDMA2002NZ
Y-IC est un distributeur de qualité de la marque onsemi, fournissant aux clients les meilleurs produits et services.
Le FDMA2002NZ est un MOSFET de puissance dual à N-channel avec une structure PowerTrench®. Il se caractérise par une faible résistance à l'état passage et convient parfaitement à diverses applications de gestion d'énergie et de commutation.
MOSFET de puissance dual à N-channel
Structure PowerTrench®
Faible résistance à l'état passage
Gate à niveau logique
Gestion efficace de l'énergie
Performance de commutation fiable
Application polyvalente
Emballage en bobine et bande (Tape & Reel)
Boîtier à puce 6-VDFN avec pad exposé
Boîtier MicroFET 6 (2x2)
Technologie de montage en surface
Le FDMA2002NZ est un produit actif. Aucun modèle équivalent ou alternatif n'est actuellement disponible. Pour plus d'informations, veuillez contacter notre équipe commerciale via notre site web.
Gestion de l'énergie
Applications de commutation
Contrôle de puissance généraliste
La fiche technique la plus complète pour le FDMA2002NZ est disponible sur notre site web. Il est recommandé de la télécharger pour obtenir les spécifications détaillées et les performances du produit.
Nous recommandons aux clients d'obtenir un devis sur notre site internet. Demandez un devis ou découvrez cette offre limitée dans le temps.
FDMA291P. FAI
FAIRCHILD QFN
FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
FDMA291PZ VB
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
FAIRCHILD QFN
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
FAIRCHILD QFN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FAIRCHILD DFN
FAIRCHILD WDFN-6
FAIRCHILD QFN
FAIRCHILD QFN
INTEGRATED CIRCUIT
2026/07/29
2026/07/21
2026/07/14
2026/07/9
2026/06/29
2026/06/25
2026/06/15
2026/06/11
2026/06/5
2026/05/28
2026/05/22
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Articles






2026/08/18
2026/08/11
2026/08/11
2026/08/11
FDMA2002NZFairchild Semiconductor |
Quantité*
|
Prix cible (USD)
|