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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD6680AS
Fairchild Semiconductor
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Fairchild Semiconductor FDD6680AS

Modèle de produit: FDD6680AS
Fabricant / marque: Fairchild (onsemi)
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Livret des spécifications: None
Statut RoHs: Lead free / RoHs compliant
Mode de paiement: PayPal / Credit Card / T/T
Manière d'expédition: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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En stock: 8060 Pcs Stock

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  • Caractéristiques
  • Manuel d'achat
  • Informations sur l'expédition
  • Contrôle qualité et emballage
  • Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces Fairchild Semiconductor FDD6680AS avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor FDD6680AS.
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
    Vgs (Max) ±20V
    La technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)
    Séries PowerTrench®, SyncFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
    Dissipation de puissance (max) 60W (Ta)
    Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Emballer Bulk
    Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Type de montage Surface Mount
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 15 V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
    type de FET N-Channel
    Fonction FET -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
    Tension drain-source (Vdss) 30 V
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Ta)
    FDD6680AS Détails PDF [English] FDD6680AS PDF - EN.pdf
  • Politique de retour
    Les retours doivent être demandés dans les 60 jours suivant la date de facture et inclure :
    - Numéro de facture original
    - Photo des pièces
    - Brève explication ou rapport de test indiquant la raison du retour
    Les retours ne seront pas acceptés après 60 jours. Les articles retournés doivent être dans leur emballage d’origine et en état de revente. Les retours dus à des erreurs du client lors du devis ou de l’achat ne seront pas acceptés. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour avant l’expédition.
    Comment acheter
    Nous prenons en charge les commandes en ligne et hors ligne. Pour des instructions détaillées sur le processus de commande, veuillez consulter le lien suivant :
    https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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    Paiement
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    - Western Union
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  • Délai de livraison
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    Suivi d’expédition
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    Tarif d’expédition
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  • Contrôle qualité (CQ)

    Tous les produits sont soumis à une inspection d’entrée rigoureuse et à des procédures strictes de contrôle qualité.
    Nous garantissons l’authenticité des composants, la conformité des spécifications et des performances fiables grâce à des tests normalisés et à une amélioration continue des processus.
    Garantie de qualité

    Emballage

    Protection antistatique ESD.
    Tous les produits sont emballés dans des sacs antistatiques et expédiés avec une protection antistatique ESD. L’étiquette sur l’emballage externe ESD inclura les informations de notre société : référence du produit, marque et quantité.

    Nous inspectons toutes les marchandises avant expédition afin de garantir qu’elles sont en excellent état et vérifions que les composants sont neufs, d’origine et conformes aux spécifications de la fiche technique. Après avoir confirmé que tout est en ordre, nous emballons soigneusement les articles et les expédions par service de messagerie internationale.

FDD6680AS Détails du produit

Référence fabricant

FDD6680AS

Fabricant

Y-IC est un distributeur de qualité spécialisé dans les produits de la marque onsemi. Nous proposons à nos clients les meilleurs produits et services.

Description détaillée

Le FDD6680AS est un transistor MOSFET N-channel haute performance, en boîtier monté en surface TO-252-3 (DPAK). Il fait partie des séries PowerTrench® et SyncFET™, conçu pour une variété d’applications de gestion d’énergie et de commutation.

Caractéristiques clés

MOSFET N-channel

Tension drain-source de 30V

Courant de drain continu de 55A

Résistance on faible (typique 10,5mΩ)

Vitesse de commutation rapide

Adapté aux applications à haute fréquence et à courant élevé

Avantages clés

Conversion d'énergie efficace et gestion optimisée

Performance fiable et robuste

Boîtier compact monté en surface

Excellentes caractéristiques thermiques

Emballage

Le FDD6680AS est livré en boîtier monté en surface TO-252-3 (DPAK), avec 2 câbles et une patte pour les connexions électriques et thermiques.

Cycle de vie

Le FDD6680AS est un produit obsolète. Nous recommandons aux clients de contacter notre équipe commerciale via notre site web pour obtenir des informations sur ses modèles équivalents ou alternatifs disponibles.

Domaines d'application clés

Alimentations électriques

Convertisseurs DC-DC

Entraînements de moteurs

Ballasts d’éclairage

Équipements de télécommunication

Fiche technique

La fiche technique la plus fiable du FDD6680AS est disponible sur notre site web. Il est conseillé aux clients de la télécharger pour consulter les spécifications techniques détaillées.

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    2023/04/27

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