Français
| Modèle de produit: | FDMS86101 |
|---|---|
| Fabricant / marque: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN |
| Livret des spécifications: |
|
| Statut RoHs: | |
| Mode de paiement: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Manière d'expédition: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Partager: |
Ship From: Hong Kong
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1+ | $0.2204 |
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| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
| Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Emballer | Tape & Reel (TR) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Attributs du produit | Valeur des attributs |
|---|---|
| Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100 V |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Numéro de produit de base | FDMS86 |
| FDMS86101 Détails PDF [English] | FDMS86101 PDF - EN.pdf |




FDMS86101
Y-IC est un distributeur de qualité des produits de la marque onsemi, offrant à ses clients les meilleurs produits et services.
Le FDMS86101 est un transistor MOSFET N-channel haute performance de la série PowerTrench® d'onsemi. Conçu pour une large gamme d'applications de gestion de puissance.
MOSFET N-channel
Technologie PowerTrench®
Tension Drain-Source (Vdss) de 100V
Courant Continu Drain (Id) de 12,4A à 25°C
Résistance On maximale (Rds(on)) de 8mΩ à 13A, 10V
Capacité de Gate maximale (Qg) de 55nC à 10V
Plage de température de fonctionnement de -55°C à 150°C
Haute efficacité et faible perte d'énergie
Conception compacte et robuste
Idéal pour diverses applications de gestion de puissance
Emballage en bobine & ruban (Tape & Reel)
Boîtier PowerTDFN 8 broches
Technologie de montage en surface
Le FDMS86101 est un produit actif. Des modèles équivalents ou alternatifs sont disponibles, veuillez contacter notre équipe commerciale via notre site web pour plus d'informations.
Alimentations électriques
Commandes de moteurs
Contrôle de l'éclairage
Automatisation industrielle
La fiche technique la plus fiable pour le FDMS86101 est disponible sur notre site internet. Il est recommandé aux clients de la télécharger.
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
FAIRCHILD QFN
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