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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC86183
onsemi
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

onsemi FDMC86183

Modèle de produit: FDMC86183
Fabricant / marque: AMI Semiconductor/onsemi
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Livret des spécifications:
1.FDMC86183.pdf ···

Feuilles de données

FDMC86183.pdf

Conception / spécification PCN

Logo 17/Aug/2017.pdf

PCN Obsolescence / EOL

Mult Dev EOL 30/Sep/2022.pdf

Informations environnementales

onsemi RoHS.pdf

Assemblage / origine PCN

Wafer Fab 11/Nov/2020.pdf
Statut RoHs:
Mode de paiement: PayPal / Credit Card / T/T
Manière d'expédition: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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En stock: 46420 Pcs Stock

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  • Informations sur l'expédition
  • Contrôle qualité et emballage
  • Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces onsemi FDMC86183 avec des spécifications similaires à onsemi FDMC86183.
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
    Vgs (Max) ±20V
    La technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
    Séries -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 16A, 10V
    Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)
    Package / Boîte 8-PowerWDFN
    Emballer Tape & Reel (TR)
    Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Type de montage Surface Mount
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1515 pF @ 50 V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
    type de FET N-Channel
    Fonction FET -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
    Tension drain-source (Vdss) 100 V
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc)
    Numéro de produit de base FDMC86
    FDMC86183 Détails PDF [English] FDMC86183 PDF - EN.pdf
  • Politique de retour
    Les retours doivent être demandés dans les 60 jours suivant la date de facture et inclure :
    - Numéro de facture original
    - Photo des pièces
    - Brève explication ou rapport de test indiquant la raison du retour
    Les retours ne seront pas acceptés après 60 jours. Les articles retournés doivent être dans leur emballage d’origine et en état de revente. Les retours dus à des erreurs du client lors du devis ou de l’achat ne seront pas acceptés. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour avant l’expédition.
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  • Délai de livraison
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  • Contrôle qualité (CQ)

    Tous les produits sont soumis à une inspection d’entrée rigoureuse et à des procédures strictes de contrôle qualité.
    Nous garantissons l’authenticité des composants, la conformité des spécifications et des performances fiables grâce à des tests normalisés et à une amélioration continue des processus.
    Garantie de qualité

    Emballage

    Protection antistatique ESD.
    Tous les produits sont emballés dans des sacs antistatiques et expédiés avec une protection antistatique ESD. L’étiquette sur l’emballage externe ESD inclura les informations de notre société : référence du produit, marque et quantité.

    Nous inspectons toutes les marchandises avant expédition afin de garantir qu’elles sont en excellent état et vérifions que les composants sont neufs, d’origine et conformes aux spécifications de la fiche technique. Après avoir confirmé que tout est en ordre, nous emballons soigneusement les articles et les expédions par service de messagerie internationale.

FDMC86183 Détails du produit

Référence fabricant

FDMC86183

Fabricant

Y-IC est un distributeur de produits de marque onsemi de haute qualité. Nous fournissons à nos clients les meilleurs produits et services.

Description détaillée

Le FDMC86183 est un MOSFET à canal N en montage en surface de la marque onsemi. Il possède une tension de drain-source de 100 V et un courant de drain continu de 47 A.

Caractéristiques clés

MOSFET à canal N

Tension de drain-source de 100 V

Courant de drain continu de 47 A

Pack en montage en surface

Avantages clés

Capacité de gestion de puissance élevée

Conversion efficace de l'énergie

Performance fiable

Emballage

Le FDMC86183 est conditionné dans un boîtier Power33 en montage en surface 8-PQFN (3,3 x 3,3 mm). Les principales caractéristiques du package incluent :

Boîtier PowerWDFN à 8 plots

Conception en montage en surface

Taille compacte

Cycle de vie

Le FDMC86183 est un produit obsolète. Nous conseillons aux clients de contacter notre équipe commerciale via notre site web pour obtenir des informations sur des modèles équivalents ou de remplacement disponibles.

Domaines d'application clés

Alimentation électrique

Commande de moteurs

Électronique industrielle

Électronique automobile

Fiche technique

Le fiche technique la plus complète du FDMC86183 est disponible sur notre site internet. Il est recommandé de la télécharger pour connaître toutes les spécifications et détails techniques du produit.

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Révision des utilisateurs

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    Good networking processor for embedded communication systems. Stable operation and sufficient performance for wireless gateway applications.

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  • Haro***urner

    Good FPGA for control and signal applications. Resource availability was suitable for my project and operation has been reliable.

    2026/07/14

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    2026/07/9

  • Elec***Mike_FR

    Good capacitor quality. Measurements were close to specifications and performance remained stable in a power filtering application.

    2026/06/29

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    Good MOSFET for compact power applications. Low heat generation and consistent switching performance in my DC power board.

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    2022/07/1

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    2021/03/4

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    2020/09/10

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