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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD9409-F085
onsemi
FDD9409-F085 Image
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

onsemi FDD9409-F085

Modèle de produit: FDD9409-F085
Fabricant / marque: AMI Semiconductor/onsemi
Partie de la description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Livret des spécifications:
1.FDD9409-F085.pdf ···

Assemblage / origine PCN

Mult Dev A/T 18/Aug/2021.pdf

Conception / spécification PCN

Logo 17/Aug/2017.pdf

Informations environnementales

onsemi RoHS.pdf

Feuilles de données

FDD9409_F085.pdf
Statut RoHs:
Mode de paiement: PayPal / Credit Card / T/T
Manière d'expédition: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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En stock: 3800 Pcs Stock

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  • Manuel d'achat
  • Informations sur l'expédition
  • Contrôle qualité et emballage
  • Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces onsemi FDD9409-F085 avec des spécifications similaires à onsemi FDD9409-F085.
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    La technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur TO-252AA
    Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 80A, 10V
    Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
    Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Emballer Tape & Reel (TR)
    Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Type de montage Surface Mount
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 25 V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
    type de FET N-Channel
    Fonction FET -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
    Tension drain-source (Vdss) 40 V
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)
    Numéro de produit de base FDD9409
    FDD9409-F085 Détails PDF [English] FDD9409-F085 PDF - EN.pdf
  • Politique de retour
    Les retours doivent être demandés dans les 60 jours suivant la date de facture et inclure :
    - Numéro de facture original
    - Photo des pièces
    - Brève explication ou rapport de test indiquant la raison du retour
    Les retours ne seront pas acceptés après 60 jours. Les articles retournés doivent être dans leur emballage d’origine et en état de revente. Les retours dus à des erreurs du client lors du devis ou de l’achat ne seront pas acceptés. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour avant l’expédition.
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    Garantie de qualité

    Emballage

    Protection antistatique ESD.
    Tous les produits sont emballés dans des sacs antistatiques et expédiés avec une protection antistatique ESD. L’étiquette sur l’emballage externe ESD inclura les informations de notre société : référence du produit, marque et quantité.

    Nous inspectons toutes les marchandises avant expédition afin de garantir qu’elles sont en excellent état et vérifions que les composants sont neufs, d’origine et conformes aux spécifications de la fiche technique. Après avoir confirmé que tout est en ordre, nous emballons soigneusement les articles et les expédions par service de messagerie internationale.

FDD9409-F085 Détails du produit

Référence fabricant

FDD9409-F085

Fabricant

Y-IC est un distributeur de qualité des produits de la marque AMI Semiconductor / ON Semiconductor. Nous proposons à nos clients les meilleurs produits et services.

Description détaillée

MOSFET N-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tc) en montage en surface D-PAK (TO-252)

Caractéristiques clés

MOSFET N-Channel

Tension drain-source (Vdss) de 40V

Courant continu de drain (Id) de 90A à 25°C

Dissipation de puissance (Pd) de 150W à Tc

Boîtier en montage en surface D-PAK (TO-252)

Avantages clés

Capacité de gestion de puissance élevée

Faible résistance à l’état on (Rds On)

Idéal pour les applications automobile et industrielle

Emballage

Type d’emballage : Digi-Reel

Boîtier / Case : TO-252-3, DPak (2 broches + tab), SC-63

Emballage du dispositif fournisseur : D-PAK (TO-252)

Caractéristiques thermiques : Dissipation de puissance maximale (Pd) 150W (Tc)

Propriétés électriques : Tension drain-source (Vdss) de 40V, Courant drain continu (Id) à 25°C de 90A (Tc), Rds On (max) à Id, Vgs 3,2 mΩ à 80A, 10V, Vgs(th) (max) à Id 4V à 250A, Charge de la grille (Qg) (max) à Vgs 46nC à 10V, Capacitance d’entrée (Ciss) (max) à Vds 3130pF à 25V, Tension de commande (Vgs max) ±20V.

Cycle de vie

Le produit n’est pas en voie de discontinuation.

Des modèles équivalents ou alternatifs sont disponibles. Veuillez contacter notre équipe commerciale via notre site internet pour plus d’informations.

Domaines d'application clés

Automobile

Industrie

Fiche technique

La fiche technique la plus fiable pour ce modèle est disponible sur notre site web. Nous vous recommandons de la télécharger.

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