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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD86250-F085
onsemi
FDD86250-F085 Image
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

onsemi FDD86250-F085

Modèle de produit: FDD86250-F085
Fabricant / marque: AMI Semiconductor/onsemi
Partie de la description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Livret des spécifications:
1.FDD86250-F085.pdf ···

Assemblage / origine PCN

Mult Dev A/T 18/Aug/2021.pdf

Informations environnementales

onsemi RoHS.pdf

Feuilles de données

FDD86250_F085.pdf
Statut RoHs:
Mode de paiement: PayPal / Credit Card / T/T
Manière d'expédition: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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  • Caractéristiques
  • Manuel d'achat
  • Informations sur l'expédition
  • Contrôle qualité et emballage
  • Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces onsemi FDD86250-F085 avec des spécifications similaires à onsemi FDD86250-F085.
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Vgs (Max) ±20V
    La technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur TO-252AA
    Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V
    Dissipation de puissance (max) 160W (Tj)
    Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Emballer Tape & Reel (TR)
    Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Type de montage Surface Mount
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 75 V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
    type de FET N-Channel
    Fonction FET -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
    Tension drain-source (Vdss) 150 V
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)
    Numéro de produit de base FDD86250
    FDD86250-F085 Détails PDF [English] FDD86250-F085 PDF - EN.pdf
  • Politique de retour
    Les retours doivent être demandés dans les 60 jours suivant la date de facture et inclure :
    - Numéro de facture original
    - Photo des pièces
    - Brève explication ou rapport de test indiquant la raison du retour
    Les retours ne seront pas acceptés après 60 jours. Les articles retournés doivent être dans leur emballage d’origine et en état de revente. Les retours dus à des erreurs du client lors du devis ou de l’achat ne seront pas acceptés. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour avant l’expédition.
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  • Contrôle qualité (CQ)

    Tous les produits sont soumis à une inspection d’entrée rigoureuse et à des procédures strictes de contrôle qualité.
    Nous garantissons l’authenticité des composants, la conformité des spécifications et des performances fiables grâce à des tests normalisés et à une amélioration continue des processus.
    Garantie de qualité

    Emballage

    Protection antistatique ESD.
    Tous les produits sont emballés dans des sacs antistatiques et expédiés avec une protection antistatique ESD. L’étiquette sur l’emballage externe ESD inclura les informations de notre société : référence du produit, marque et quantité.

    Nous inspectons toutes les marchandises avant expédition afin de garantir qu’elles sont en excellent état et vérifions que les composants sont neufs, d’origine et conformes aux spécifications de la fiche technique. Après avoir confirmé que tout est en ordre, nous emballons soigneusement les articles et les expédions par service de messagerie internationale.

FDD86250-F085 Détails du produit

Référence fabricant

FDD86250-F085

Fabricant

onsemi - Y-IC est un distributeur de qualité de la marque onsemi, offrant à ses clients les meilleurs produits et services.

Description détaillée

Le FDD86250-F085 est un MOSFET N-Channel PowerTrench® d'onsemi. Il s'agit d'un produit actif dans la catégorie des transistors à effet de champ, MOSFETs à canal N, MOSFETs simples.

Caractéristiques clés

Tension Drain à Source (Vdss) de 150V

Courant Drain Continu (Id) de 50A à 25°C

Résistance On maximale (Rds(on)) de 22mΩ à 20A, 10V

Charge de Gate maximale (Qg) de 37nC à 10V

Plage de températures de fonctionnement de -55°C à 175°C

Avantages clés

Performance exceptionnelle dans les applications de commutation haute puissance et haute fréquence

Conception robuste pour une opération fiable dans des environnements difficiles

Conversion d'énergie efficace avec de faibles pertes par conduction et commutation

Emballage

Emballage en ruban et reliure (Tape & Reel)

Boîtier TO-252-3, DPAK (2 broches + patte)

Boîtier SC-63

Cycle de vie

Le FDD86250-F085 est un produit actif

Des modèles équivalents ou alternatifs sont disponibles, notamment FDD86250-F100, FDD86250-F150, et FDD86250-F200

Les clients sont invités à contacter notre équipe commerciale via notre site web pour plus d'informations sur les options alternatives

Domaines d'application clés

Alimentations électriques

Onduleurs

Variateurs de moteurs

Équipements de soudure

Automatisation industrielle

Fiche technique

Le datasheet le plus fiable pour le FDD86250-F085 est disponible sur notre site web. Il est recommandé de le télécharger.

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Révision des utilisateurs

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    Good transformer driver for isolated power supplies. Startup was smooth, although layout recommendations in the datasheet should be followed carefully.

    2026/07/29

  • Wire***sBuilder99

    Good networking processor for embedded communication systems. Stable operation and sufficient performance for wireless gateway applications.

    2026/07/21

  • Haro***urner

    Good FPGA for control and signal applications. Resource availability was suitable for my project and operation has been reliable.

    2026/07/14

  • Data***terLogic

    Excellent FPGA for demanding signal processing workloads. Resource utilization and performance exceeded expectations in our prototype system.

    2026/07/9

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    2026/06/11

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    Excellent MCU for real-time control and power applications. Stable and fast processing.

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    2026/04/28

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    2026/04/8

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    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

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    2021/03/4

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    2020/09/10

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