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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDC658AP
onsemi
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

onsemi FDC658AP

Modèle de produit: FDC658AP
Fabricant / marque: AMI Semiconductor/onsemi
Partie de la description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Livret des spécifications:
1.FDC658AP.pdf ···

Informations environnementales

onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

Assemblage / origine PCN

Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf

Feuilles de données

FDC658AP.pdf

FDC658AP Page PDF

Télécharger les détails PDF
Statut RoHs:
Mode de paiement: PayPal / Credit Card / T/T
Manière d'expédition: DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS
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  • Caractéristiques
  • Manuel d'achat
  • Informations sur l'expédition
  • Contrôle qualité et emballage
  • Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces onsemi FDC658AP avec des spécifications similaires à onsemi FDC658AP.
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
    Vgs (Max) ±25V
    La technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur SuperSOT™-6
    Séries PowerTrench®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V
    Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)
    Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Emballer Tape & Reel (TR)
    Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
    Attributs du produit Valeur des attributs
    Type de montage Surface Mount
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 15 V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V
    type de FET P-Channel
    Fonction FET -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
    Tension drain-source (Vdss) 30 V
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)
    Numéro de produit de base FDC658
    FDC658AP Détails PDF [English] FDC658AP PDF - EN.pdf
  • Politique de retour
    Les retours doivent être demandés dans les 60 jours suivant la date de facture et inclure :
    - Numéro de facture original
    - Photo des pièces
    - Brève explication ou rapport de test indiquant la raison du retour
    Les retours ne seront pas acceptés après 60 jours. Les articles retournés doivent être dans leur emballage d’origine et en état de revente. Les retours dus à des erreurs du client lors du devis ou de l’achat ne seront pas acceptés. Veuillez contacter le service client pour obtenir une autorisation de retour avant l’expédition.
    Comment acheter
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  • Délai de livraison
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    Suivi d’expédition
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  • Contrôle qualité (CQ)

    Tous les produits sont soumis à une inspection d’entrée rigoureuse et à des procédures strictes de contrôle qualité.
    Nous garantissons l’authenticité des composants, la conformité des spécifications et des performances fiables grâce à des tests normalisés et à une amélioration continue des processus.
    Garantie de qualité

    Emballage

    Protection antistatique ESD.
    Tous les produits sont emballés dans des sacs antistatiques et expédiés avec une protection antistatique ESD. L’étiquette sur l’emballage externe ESD inclura les informations de notre société : référence du produit, marque et quantité.

    Nous inspectons toutes les marchandises avant expédition afin de garantir qu’elles sont en excellent état et vérifions que les composants sont neufs, d’origine et conformes aux spécifications de la fiche technique. Après avoir confirmé que tout est en ordre, nous emballons soigneusement les articles et les expédions par service de messagerie internationale.

FDC658AP Détails du produit

Référence fabricant

FDC658AP

Fabricant

Y-IC est un distributeur de qualité des produits de la marque onsemi. Nous fournissons à nos clients les meilleurs produits et services.

Description détaillée

Le FDC658AP est un transistor MOSFET à canal P, présenté dans un petit boîtier SuperSOT-6 ou TSOT-23-6. Conçu pour diverses applications de gestion de puissance et de commutation.

Caractéristiques clés

MOSFET à canal P

Tension drain-source : 30 V

Courant de drain continu : 4 A

Résistance en conduction faible

Vitesse de commutation rapide

Taille compacte du boîtier

Avantages clés

Gestion efficace de la puissance

Performance fiable

Conception compacte

Adapté à une large gamme d'applications

Emballage

Emballage bande & rouleau (TR)

Boîtier SuperSOT-6 ou TSOT-23-6

Montage en surface

Taille réduite et profil bas

Cycle de vie

Le FDC658AP est un produit actif. Des modèles équivalents ou alternatifs existent :

FDC658

FDC658BL

Les clients sont invités à contacter notre équipe commerciale via notre site web pour plus d'informations.

Domaines d'application clés

Circuits de gestion de puissance

Applications de commutation

Électronique portable

Dispositifs alimentés par batterie

Fiche technique

Le fiche technique la plus complète du FDC658AP est disponible sur notre site web. Il est conseillé de le télécharger pour connaître en détail les spécifications techniques.

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Révision des utilisateurs

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    2026/07/21

  • Haro***urner

    Good FPGA for control and signal applications. Resource availability was suitable for my project and operation has been reliable.

    2026/07/14

  • Data***terLogic

    Excellent FPGA for demanding signal processing workloads. Resource utilization and performance exceeded expectations in our prototype system.

    2026/07/9

  • Elec***Mike_FR

    Good capacitor quality. Measurements were close to specifications and performance remained stable in a power filtering application.

    2026/06/29

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    2022/07/1

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    2021/03/4

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    2020/09/10

  • Chlo***ughes

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    2020/01/23

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