toutes catégories

Chariot 0 article

Chariot 0 article

Partie MFR # Quantité
SOUMETTRE (0)

Choisir la langue

Langue courante

Français

  • English
  • Deutsch
  • Italia
  • Français
  • 한국의
  • русский
  • Svenska
  • Nederland
  • español
  • Português
  • polski
  • Suomi
  • Gaeilge
  • Slovenská
  • Slovenija
  • Čeština
  • Melayu
  • Magyarország
  • Hrvatska
  • Dansk
  • românesc
  • Indonesia
  • Ελλάδα
  • Български език
  • Afrikaans
  • IsiXhosa
  • isiZulu
  • lietuvių
  • Maori
  • Kongeriket
  • Монголулс
  • O'zbek
  • Tiếng Việt
  • हिंदी
  • اردو
  • Kurdî
  • Català
  • Bosna
  • Euskera
  • العربية
  • فارسی
  • Corsa
  • Chicheŵa
  • עִבְרִית
  • Latviešu
  • Hausa
  • Беларусь
  • አማርኛ
  • Republika e Shqipërisë
  • Eesti Vabariik
  • íslenska
  • မြန်မာ
  • Македонски
  • Lëtzebuergesch
  • საქართველო
  • Cambodia
  • Pilipino
  • Azərbaycan
  • ພາສາລາວ
  • বাংলা ভাষার
  • پښتو
  • malaɡasʲ
  • Кыргыз тили
  • Ayiti
  • Қазақша
  • Samoa
  • සිංහල
  • ภาษาไทย
  • Україна
  • Kiswahili
  • Cрпски
  • Galego
  • नेपाली
  • Sesotho
  • Тоҷикӣ
  • Türk dili
  • ગુજરાતી
  • ಕನ್ನಡkannaḍa
  • मराठी
AccueilMessageSamsung collaborerait avec NVIDIA pour accélérer le développement de mémoire flash NAND de nouvelle génération

Samsung collaborerait avec NVIDIA pour accélérer le développement de mémoire flash NAND de nouvelle génération

Temps: 2026/03/13

Parcourir: 1,963

Samsung

13 mars — Selon des reportages médiatiques citant des initiés anonymes de l'industrie, Samsung Electronics s'associe à NVIDIA pour accélérer le développement de puces de mémoire flash NAND de nouvelle génération.Une équipe de recherche conjointe comprenant le Samsung Advanced Institute of Technology, NVIDIA et le Georgia Institute of Technology a développé un modèle « d'opérateur neuronal informé par la physique » capable d'analyser les performances des dispositifs NAND à base ferroélectrique à des vitesses plus de 10 000 fois plus rapides que les modèles existants, et a publié les résultats de la recherche.Sur la base de ces découvertes, Samsung collabore avec NVIDIA pour développer et commercialiser une mémoire flash NAND ferroélectrique.

Dernière nouvelle

  • Intel étend ses opérations de packaging avancées ;Début de la construction de la première usine de conditionnement de puces 3D en Inde

    2026/04/21

  • TrendForce : la croissance des serveurs à usage général est limitée ;Les prévisions de croissance globale des expéditions de serveurs pour 2026 ont été abaissées à +13 %

    2026/04/17

  • Micron : les pénuries de DRAM persisteront jusqu’en 2027 ;La capacité insuffisante des équipements de fabrication apparaît comme un nouveau goulot d’étranglement !

    2026/04/3

  • Pas de précipitation pour le 1,4 nm !Samsung Exynos 2800 passe au processus SF2P+ 2 nm

    2026/03/27

  • Samsung collaborerait avec NVIDIA pour accélérer le développement de mémoire flash NAND de nouvelle génération

    2026/03/13

  • Les rapports indiquent que les machines de lithographie EUV de nouvelle génération d'ASML sont désormais prêtes pour la production en série, chaque unité coûtant environ 400 millions de dollars.

    2026/02/28

  • Première dans l'industrie : Samsung Electronics lance la production de masse de la mémoire HBM4 et livre des produits commerciaux à ses clients

    2026/02/13

  • L'usine 2 de Kumamoto de TSMC va passer à la fabrication de plaquettes de 3 nm

    2026/02/6

  • Musk : le modèle S/X va prendre sa retraite, libérant ainsi de l'espace en usine pour la production de masse d'Optimus

    2026/01/30

  • Samsung dévoile officiellement la technologie de packaging HPB, qui peut améliorer considérablement les performances thermiques des processeurs mobiles.

    2026/01/23

  • RFQ